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【インフィニオン】NE先端テクノロジーフォーラムレビュー

SiCやGaNデバイスを応用した機器やインフラを、一般家庭や街の中で普通に見かけるようになった。化合物半導体の優れた物性を生かして、劇的な電力損失の削減と、目を見張る小型・軽量化を実現している。SiC、GaNデバイスは、もはや“次世代デバイス”ではなくなったのだ。このように時代の変化を肌で感じられるようになった中、NE先端テクノロジーフォーラム「次世代パワー半導体のインパクト~SiCとGaN、Siをいかに使い分けるか~」が、会場を埋め尽くす聴講者を集めて開催された。底知れぬ潜在能力を秘めたパワーデバイスの効果的な応用先と利用法を、最新の技術開発動向を交えて議論した…(続きを読む

SiCパワーデバイスの分野では、技術開発の先進性、生産量、製品の品ぞろえ、市場投入の早さ、応用開拓の多様性のいずれの点においても、インフィニオン テクノロジーズが圧倒的にリードしている。ダイオードでは、既に第5世代品を市場投入。そして現時点では研究開発段階だが、第2世代トランジスタとして、MOS FETの開発も着々と進んでいる。同社の最新技術動向を、Infineon Technologies AG Senior Director Peter Friedrichs氏が解説した…(続きを読む

インフィニオンは、インターナショナル・ レクティファイアー(IR)社との事業統合によって、GaNデバイスの製品ラインアップと技術開発力を一気に強化した。600V以下の低電圧領域で、低いオン抵抗と高速動作を生かせる応用に適用していく。インフィニオン テクノロジーズ ジャパン インダストリアルパワーコントロール事業本部 アプリケーションエンジニアリング ヘッドの藤原エミリオ氏が、GaNデバイスの特性が生きる応用と効果的な利用法を解説した…(続きを読む

電力インフラや大型の設備、業務用車両、鉄道では、電圧範囲が1.2kV~6.5kV、電流範囲が数百A~3600Aの高圧・大容量SiベースIGBTモジュールが利用されている。これらの応用では、電流密度や効率の向上に加えて、何より高い信頼性を確保することが欠かせない。インフィニオン テクノロジーズ ジャパン インダストリアル パワーコントロール事業本部 主幹技師の二本木直稔氏が次世代IGBTの最新技術動向を、実装技術を中心に解説した…(続きを読む

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