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オン・セミコンダクター

熱特性を高めた新SO8-FLパッケージ
従来品に対する優位性を多角的に紹介

高効率の半導体デバイスを数多く提供しているオン・セミコンダクターが、同社が開発した新パッケージ「SO8-FL TE(Thermally Enhanced)」の特長を解説したアプリケーション・ノートをリリースした。SO8-FL TEは、パワーMOS FET用のパッケージとして広く使われているSO8-FLに独自の工夫を施し、熱特性を高めたもの。このアプリケーション・ノートでは、複数の実験結果などを示しながら、従来のSO8-FLに対する新パッケージの優位性を解説している。

 実装面積が5mm×6mmのSO08-FLは、小型で比較的大きな消費電力に耐えられることから多くのパワーMOS FETに採用されているパッケージの一つである。このパッケージと同じフットプリントとピン配置を維持しながら、パッケージ上部の熱抵抗を下げることで、熱特性、効率、電力処理能力を高めたのがSO8-FL TEだ。熱抵抗を下げるために、従来品に比べて3倍以上の熱伝導特性を備えた新たなモールド・コンパウンドを封止材に採用している。

 同社がリリースしたアプリケーション・ノートでは、SO8-FL TEの構造や実装する場合の技術ガイドラインについて説明。これに続いて、標準的なSO8-FLとSO8-FL TEや、SO8-FL TEとメタルトップ・デバイスの特性を比較する実験の結果を紹介する。さらに同期式バック・コンバータにSO8-FL TEを実装したときの特性などについても豊富なグラフを示しながら言及する。電源などパワーMOS FETを使った回路の設計にかかわる技術者には見逃せない資料だ。

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