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フォーミュラEを支えるSiCテクノロジー

未来を駆動する新しいパワー

ロームは、SIC (シリコンカーバイド) 技術により、従来よりも小型でパワーがあり、高速な、新しいダイオード、MOSFET、およびパワーモジュールを開発しました。SiCデバイスは、サイ ズ・重さを削減してシステムの小型化を実現し、フォーミュラE (電気自動車レース) などの車載用途において、重量配分を改善します。こうした革新的なデバイスは、従来のシリコン製デバイスに比べ、消費電力を低減し、より高い効率性を実現 します。

  詳細情報  
1200V / 80A-300A SiCパワーモジュール

1200V/80A-300A SiCパワーモジュール

SiC-MOSFETとSiC-SBDで構成され、IGBTモジュールに比べ、スイッチング損失を低減します。  »

650V-1700V SiCパワーMOSFET

650V-1700V SiCパワーMOSFET

Si製デバイスと比べ、スイッチング損失が小さく、オン抵抗も低く、省エネを実現します。 »

650V-1200V / 2A-40A SiCショットキーバリアダイオード

650V-1200V/2A-40A SiCショットキーバリアダイオード

175°Cまでの動作温度範囲を特徴とし、低VF特性を維持しつつ、高サージ電流耐量を実現します。AEC-Q101準拠。  »

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